IBM公司展示可在常温下以100GHz频率运行的射频石墨晶体管

IBM公司近日展示了可运行在100GHz频率下的石墨材料晶体管，这次展示的晶体管是在直径两英寸的石墨晶圆上制造出来的，这种晶体管可以在常温状态下正常工作。据称这次展示的射频石墨晶体管的运行速度仅次于镓砷材料制造的分立是晶体管，这次展示意味着业界在高速碳材料电子设备的商业化进程方向上又迈出了一大 步。

这次研制的射频石墨晶体管是应美国国防部高级研究计划局（ARPA）的要求研制的。这次研制的产品比先前展示的同类产品在平率方面提升了4倍。科学家们在制造这款晶体管时使用了与传统硅外延工艺相同的方法，在一片SiC晶圆上外延生长出了一层石墨外延层，然后再使用一种名为热分解的工艺将石墨薄层中所含的硅元素消除。此后，科学家再在这层石墨薄膜上制出金属栅极和high-K绝缘层。

这次制造的石墨晶体管的门极宽度是240nm，比现有硅制程光刻工艺所能得到的最小门极宽度大10倍左右.IBM称下一步他们将进一步改善制造工艺，缩短栅极的宽度，增强设备中的电子流动性，以便将这种晶体管的运行速度推上1THz左右，以便满足ARPA的开发要求。

ARPA的目标是建造石墨晶体管集成电路，以取代现有的军用分立式镓砷材料高频通信器件。